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RN4909,LF(CT

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产品型号 RN4909,LF(CT
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
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Product parameter

Product StatusActive Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)47kOhms Resistor - Emitter Base (R2)22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA Frequency - Transition200MHz, 250MHz
Power - Max200mW Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Supplier Device PackageUS6

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