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IMD1AT108

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产品型号 IMD1AT108
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)22kOhms Resistor - Emitter Base (R2)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)- Frequency - Transition250MHz
Power - Max300mW Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-74, SOT-457 Supplier Device PackageSMT6

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