NSBA123EDXV6T1G
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| 产品型号 | NSBA123EDXV6T1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 产品介绍 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 我们努力为客户提供 onsemi品牌的产品NSBA123EDXV6T1G 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
|---|---|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500mW | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 | Supplier Device Package | SOT-563 |
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