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GB02SLT12-214

GB02SLT12-214
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产品型号 GB02SLT12-214
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 1 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F131pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-214AA, SMB Supplier Device PackageDO-214AA
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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