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GB05MPS33-263

GB05MPS33-263
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产品型号 GB05MPS33-263
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)3300 V Current - Average Rectified (Io)14A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If3 V @ 5 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 3000 V
Capacitance @ Vr, F288pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Supplier Device PackageTO-263-7
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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