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GB02SHT01-46

GB02SHT01-46
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产品型号 GB02SHT01-46
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V Current - Average Rectified (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 1 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr, F76pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-206AB, TO-46-3 Metal Can Supplier Device PackageTO-46
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 210°C

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