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1N3881

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产品型号 1N3881
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V Current - Average Rectified (Io)6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 6 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200 ns Current - Reverse Leakage @ Vr15 µA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeChassis, Stud Mount
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud Supplier Device PackageDO-4
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C

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