WND35P12BJ
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| 产品型号 | WND35P12BJ |
|---|---|
| 制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 产品介绍 | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A D2PAK 我们努力为客户提供 WeEn Semiconductors Co., Ltd品牌的产品WND35P12BJ 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 35 A | Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | - | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Supplier Device Package | D2PAK |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
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