1N645
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| 产品型号 | 1N645 |
|---|---|
| 制造商 | NTE Electronics, Inc. |
| 产品介绍 | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 我们努力为客户提供 NTE Electronics, Inc.品牌的产品1N645 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 225 V | Current - Average Rectified (Io) | 400mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 400 mA | Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 nA @ 225 V |
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial | Supplier Device Package | DO-35 |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
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