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WNSC6D16650CW6Q

WNSC6D16650CW6Q
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产品型号 WNSC6D16650CW6Q
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 16 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F780pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3 Supplier Device PackageTO-247-3
Operating Temperature - Junction175°C

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