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GD30MPS12H

GD30MPS12H
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产品型号 GD30MPS12H
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)55A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 30 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F1101pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-2 Supplier Device PackageTO-247-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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