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A1N4007G-G

A1N4007G-G
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产品型号 A1N4007G-G
制造商 Comchip Technology
产品介绍 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseDO-204AL, DO-41, Axial Supplier Device PackageDO-41
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 125°C

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