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GE04MPS06E

GE04MPS06E
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产品型号 GE04MPS06E
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
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Product parameter

Product StatusDiscontinued at Digi-Key TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)11A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 4 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F186pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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