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NXPSC06650D6J

NXPSC06650D6J
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产品型号 NXPSC06650D6J
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
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Product parameter

Product StatusLast Time Buy TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 6 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F190pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageDPAK
Operating Temperature - Junction175°C (Max)

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