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NXPSC046506Q

NXPSC046506Q
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产品型号 NXPSC046506Q
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
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Product parameter

Product StatusLast Time Buy TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 4 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr170 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F130pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction175°C (Max)

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