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GD10MPS12E

GD10MPS12E
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产品型号 GD10MPS12E
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)29A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F367pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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