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IV1D06006P3

IV1D06006P3
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产品型号 IV1D06006P3
制造商 Inventchip Technology
产品介绍 DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)16.7A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.65 V @ 6 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F224pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252-3
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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