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GD30MPS12J

GD30MPS12J
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产品型号 GD30MPS12J
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO263-7
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If- SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr-
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Supplier Device PackageTO-263-7
Operating Temperature - Junction175°C

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