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RFN10BGE3STL

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产品型号 RFN10BGE3STL
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)350 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30 ns Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 350 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252GE
Operating Temperature - Junction150°C

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