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NTE5819

NTE5819
NTE Electronics, Inc.图片仅供参考。
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产品型号 NTE5819
制造商 NTE Electronics, Inc.
产品介绍 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V Current - Average Rectified (Io)12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 12 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)400 ns Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeStud Mount
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud Supplier Device PackageDO-4
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C

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