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GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP
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产品型号 GAP3SLT33-220FP
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)3300 V Current - Average Rectified (Io)300mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 300 mA SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 3300 V
Capacitance @ Vr, F42pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Full Pack Supplier Device PackageTO-220FP
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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