WNSC04650T6J
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| 产品型号 | WNSC04650T6J |
|---|---|
| 制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 产品介绍 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN 我们努力为客户提供 WeEn Semiconductors Co., Ltd品牌的产品WNSC04650T6J 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Last Time Buy | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 141pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad | Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
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