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WNSC2D101200D6J

WNSC2D101200D6J
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产品型号 WNSC2D101200D6J
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F481pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageDPAK
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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