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1N1200AR

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产品型号 1N1200AR
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V Current - Average Rectified (Io)12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 12 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeChassis, Stud Mount
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud Supplier Device PackageDO-4
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C

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