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1N4942E3/TR

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产品型号 1N4942E3/TR
制造商 Microchip Technology
产品介绍 DIODE GEN PURP 200V 1A
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)150 ns Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F45pF @ 12V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseAxial Supplier Device Package-
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

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