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JAN1N5616US/TR

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产品型号 JAN1N5616US/TR
制造商 Microchip Technology
产品介绍 DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 3 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2 µs Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 400 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSQ-MELF, A Supplier Device PackageD-5A
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C

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