1N1189
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| 产品型号 | 1N1189 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品1N1189 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 35 A | Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Capacitance @ Vr, F | - | Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud | Supplier Device Package | DO-5 |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
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