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1N5807US/TR

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产品型号 1N5807US/TR
制造商 Microchip Technology
产品介绍 DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V Current - Average Rectified (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSQ-MELF, B Supplier Device PackageB, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

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