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10A10-T/B

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产品型号 10A10-T/B
制造商 MDD
产品介绍 DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 10 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F150pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseR-6, Axial Supplier Device PackageR-6
Operating Temperature - Junction-50°C ~ 150°C

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