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G51XT

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产品型号 G51XT
制造商 Global Power Technology
产品介绍 DIODE SIC 650V 1.84A SOD123FL
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)1.84A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 1 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F57.5pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOD-123F Supplier Device PackageSOD-123FL
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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