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SDS065J006E3

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产品型号 SDS065J006E3
制造商 Sanan Semiconductor
产品介绍 DIODE 650V-6A TO263-2L
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 6 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F310pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device PackageTO-263-2L
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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