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SDS065J010C3

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产品型号 SDS065J010C3
制造商 Sanan Semiconductor
产品介绍 DIODE 650V-10A TO220-2L
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F556pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220-2L
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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