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G4S06510AT

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产品型号 G4S06510AT
制造商 Global Power Technology
产品介绍 DIODE SIC 650V 30.5A TO220AC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)30.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F550pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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