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G3S06510C

G3S06510C
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产品型号 G3S06510C
制造商 Global Power Technology
产品介绍 DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO252
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)34A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F690pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device PackageTO-252
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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