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G5S6506Z

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产品型号 G5S6506Z
制造商 Global Power Technology
产品介绍 DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V Current - Average Rectified (Io)30.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 6 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F395pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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