1N8031-GA
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| 产品型号 | 1N8031-GA |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | DIODE SIL CARBIDE 650V 1A TO276 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品1N8031-GA 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 1 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-276AA | Supplier Device Package | TO-276 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
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