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GC50MPS12-247

GC50MPS12-247
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产品型号 GC50MPS12-247
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 212A TO247
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)212A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 50 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F3263pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-2 Supplier Device PackageTO-247-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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