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CSIC10-1200

CSIC10-1200
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产品型号 CSIC10-1200
制造商 Central Semiconductor
产品介绍 DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr250 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F500pF @ 1V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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