VS-C04ET07T-M3
Vishay General Semiconductor –图片仅供参考。
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| 产品型号 | VS-C04ET07T-M3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay General Semiconductor – |
| 产品介绍 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC 我们努力为客户提供 Vishay General Semiconductor –品牌的产品VS-C04ET07T-M3 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A | Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 170pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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