EGF1B-1HE3_B/I
Vishay General Semiconductor –图片仅供参考。
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| 产品型号 | EGF1B-1HE3_B/I |
|---|---|
| 制造商 | Vishay General Semiconductor – |
| 产品介绍 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA 我们努力为客户提供 Vishay General Semiconductor –品牌的产品EGF1B-1HE3_B/I 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A | Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | DO-214BA | Supplier Device Package | DO-214BA (GF1) |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
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