JANKCE1N5809
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| 产品型号 | JANKCE1N5809 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip Technology |
| 产品介绍 | DIODE GEN PURP 100V 3A DIE 我们努力为客户提供 Microchip Technology品牌的产品JANKCE1N5809 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | Standard |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A | Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die | Supplier Device Package | Die |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
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