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JAN1N6663/TR

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产品型号 JAN1N6663/TR
制造商 Microchip Technology
产品介绍 DIODE GEN PURP 600V 500MA DO35
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V Current - Average Rectified (Io)500mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr50 nA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F- Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial Supplier Device PackageDO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

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