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S3J R6G

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产品型号 S3J R6G
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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Product parameter

Product StatusDiscontinued at Digi-Key TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V Current - Average Rectified (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.15 V @ 3 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.5 µs Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-214AB, SMC Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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