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ESH3B R6G

ESH3B R6G
Taiwan Semiconductor图片仅供参考。
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产品型号 ESH3B R6G
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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Product parameter

Product StatusDiscontinued at Digi-Key TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V Current - Average Rectified (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If900 mV @ 3 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)20 ns Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-214AB, SMC Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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