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GPA806

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产品型号 GPA806
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)- Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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