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HERAF1008G

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产品型号 HERAF1008G
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)80 ns Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Full Pack Supplier Device PackageITO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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