G4S6508Z
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| 产品型号 | G4S6508Z |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology Co. Lt |
| 产品介绍 | DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN 我们努力为客户提供 Global Power Technology Co. Lt品牌的产品G4S6508Z 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 30.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 395pF @ 0V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN | Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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