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G3S12010A

G3S12010A
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产品型号 G3S12010A
制造商 Global Power Technology Co. Lt
产品介绍 DIODE SIC 1.2KV 34.8A TO220AC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V Current - Average Rectified (Io)34.8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F770pF @ 0V, 1MHz Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2 Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

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