G5S12010D
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| 产品型号 | G5S12010D |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology Co. Lt |
| 产品介绍 | DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263 我们努力为客户提供 Global Power Technology Co. Lt品牌的产品G5S12010D 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
|---|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 30.9A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 825pF @ 0V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Supplier Device Package | TO-263 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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