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GB2X50MPS12-227

GB2X50MPS12-227
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产品型号 GB2X50MPS12-227
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration2 Independent
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)93A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 50 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227

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